سامسونگ از اولین تراشه‌های DDR5 DRAM دنیا رونمایی کرد که با استفاده از فناوری ساخت نیمه‌رسانا ۱۲ نانومتری ساخته شده‌اند. این شرکت تراشه‌های ۱۶ گیگابایتی DDR5 DRAM خود را معرفی کرد و گفت که آن‌ها قبلاً از نظر سازگاری با پردازنده‌های Zen AMD ارزیابی شده‌اند.
تراشه‌های جدید بازده انرژی بیشتری دارند و ۲۳ درصد عملکرد بالاتری نسبت به تراشه‌های DRAM نسل قبلی ارائه می‌دهند. این شرکت کره جنوبی گفت که این جهش تکنولوژی را با استفاده از مواد با کیفیت بالا که ظرفیت سلول را افزایش می‌دهد ساخته است. سامسونگ همچنین از فناوری اختصاصی خود برای بهبود مدارهای حیاتی استفاده کرد.
تراشه‌های جدید DDR5 DRAM این شرکت از لیتوگرافی پیشرفته و چند لایه برای بالاترین چگالی قالب در صنعت استفاده می‌کنند و بهره‌وری ویفر ۲۰ درصد بالاتری را ارائه می‌دهند. این تراشه‌ها قادر به انتقال اطلاعات تا ۷.۲ گیگابیت بر ثانیه هستند که معادل پردازش دو فیلم ۳۰ گیگابایتی 4K در تنها یک ثانیه است.
سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های DDR5 DRAM کلاس ۱۲ نانومتری خود را در اوایل سال ۲۰۲۳ آغاز خواهد کرد. ما می‌توانیم انتظار محصولات مبتنی بر این تراشه‌های DRAM را در سه ماهه چهارم سال ۲۰۲۳ داشته باشیم.
Jooyoung Lee، معاون اجرایی محصول و فناوری DRAM در سامسونگ الکترونیکس، گفت: «DRAM با برد ۱۲ نانومتری ما یک عامل کلیدی در پذیرش DRAM DDR5 در بازار خواهد بود. با عملکرد استثنایی و بهره‌وری انرژی، انتظار داریم DRAM جدید ما به عنوان پایه‌ای برای عملیات پایدارتر در زمینه‌هایی مانند محاسبات نسل بعدی، مراکز داده و سیستم‌های مبتنی بر هوش مصنوعی عمل کند.
