به نقل از جی‌اس‌ام‌آرنا، سامسونگ قصد دارد با وجود کمبود قطعات جهانی، باز هم با سایر تولید کنندگان تراشه‌ها رقابت کند. در طول سال ۲۰۲۱ رئیس انجمن ریخته‌گری سامسونگ، چوی سی یونگ در مورد آینده تولید تراشه‌ها و اینکه کمبود مواد اولیه برای آینده‌ی تجارت ریخته‌گری چه اثراتی را به دنبال خواهد داشت، صحبت کرده است.
چوی سی یونگ رئیس بخش ریخته‌گری شرکت سامسونگ است و در مورد برنامه‌های سامسونگ برای ساخت تراشه‌های 3 نانومتری صحبت کرده و تأکید کرده که سامسونگ با افزایش مقیاس سیلیکون، تراشه‌سازی را یک گام به جلو برده است، حتی قادر به تولید تراشه‌های ۲ نانومتری تا سال ۲۰۲۵ خواهد بود. بنابراین پیشرفته‌ترین فناوری‌ها را در زمینه تراشه‌سازی حتی با وجود کمبود قطعات اولیه رهبری می‌کند.
مزیت تراشه‌های 3 نانومتری نسبت به دیگر تراشه‌ها
این تراشه‌ساز در ابتدا انتظار دارد که اولین تراشه‌های 3 نانومتری را در نیمه نخست سال ۲۰۲۲ به مشتریان خود عرضه کند. این تراشه‌های جدید به لطف گره ۳ نانومتری دروازه (GAA)، باید عملکرد را تا ۳۰ درصد افزایش دهند و از نصف قدرت استفاده کنند و همچنین تراشه‌های 3 نانومتری تا ۳۵ درصد فضای کمتری نسبت به نمونه ۵ نانومتری‌اش اشغال کنند.
نسل فعلی گوشی‌های هوشمند سامسونگ و اپل (تولید شده توسط سامسونگ، کوالکام و TSMC ) از مدار مجتمع ۵ نانومتری استفاده می‌کنند.
تراشه‌های 3 نانومتری در کارخانه سامسونگ در پیونگ تاک واقع در کشور کره تولید می‌شوند – که در حال حاضر برای پشتیبانی از ظرفیت بیشتر در حال توسعه است. همچنین یک کارخانه ریخته‌گری برای ایالات متحده در نظر گرفته شده است ، جزئیات مربوط به مکان قرارگیری این کارخانه، در دسترس نیست. در همین حال ، انتظار می‌رود تولید نسل دوم تراشه های ۳ نانومتری در سال ۲۰۲۳ آغاز شود.
در ادامه سامسونگ قصد دارد تولید انبوه تراشه‌ها را در فرایند تراشه‌ی ۲ نانومتری در سال ۲۰۲۵ آغاز کند، این شرکت حتی فاش کرده که تراشه‌های ۲ نانومتری، از فناوری GAA و FET چند کاناله استفاده می‌کنند که در حال توسعه است.
